Täna on

Samsung Electronics Co. Ltd., kes on üleilmne liider tänapäevaste pooljuhttehnoloogia lahenduste valdkonnas, teatas, et äsja läbis edukalt kliendipoolsed hindamised tööstusharu esimene kahe gigabitise (Gbit) tihedusega 30-nanomeetrise klassi DRAM-mälukiip. Et DDR3 SDRAM on selles kvartalis muutumas valdavaks mälutüübiks, suurendab Samsungi hoogne edasiliikumine selle protsessitehnoloogia vallas tootlikkust ja hoogustab suure jõudlusega 1,5 V ja 1,35 V DDR3 laialdast kasutamist serverites, laua- ja sülearvutites.

 

„See, et me arendame kiirendatult järgmise põlvkonna 30 nm klassi DRAM-mälukiipe, peaks hoidma meid mäluturu kõige konkurentsivõimelisemal kohal,” ütles Samsung Electronicsi mälude äriüksuse president Soo-In Cho.

 

Ta lisas: „Meie 30 nm klassi protsessitehnoloogia annab tulemuseks praegu pakutavatest kõige moodsama vähese energiatarbega DDR3-tüüpi mälu ja seega kõige tõhusamate DRAM-lahenduste juurutamiseks tarbeelektroonikaseadmetes ja serverisüsteemides.”

 

Kui 30 nm klassi protsess rakendatakse DDR3-mälu masstootmises, muudab see tootlikkuse 40 nm klassi DDR3-tüüpi mälu omast 60 protsenti suuremaks. Selle tulemuseks on tootmise kulutõhususe kahekordistumine võrreldes 50 nm kuni 60 nm klassi tehnoloogia abil toodetud DRAM-mälukiipidega.

 

Kui võrrelda 50 nm klassi DRAM-mälukiipidega, vähendab 30 nm klassi 2 Gb roheline DRAM-kiip energiatarvet 30 protsenti. Uue põlvkonna sülearvutis kasutatuna kulutab neljagigabaidine (GB) 30 nm moodul kõigest kolm vatti tunnis. See on ainult kolm protsenti sülearvuti koguenergiakulust.

 

Uut DDR3-tüüpi mälu hakatakse kasutama suuremas hulgas toodetes, alates serveritest ja lõpetades süle- ja lauaarvutitega ning minisülearvutite ja mobiilsideseadmete tulevaste versioonidega.

 

30 nm klassi DDR3-tüüpi mälu masstootmist plaanitakse alustada käesoleva aasta teises pooles.

 

Lisateavet Samsungi rohelise DDR3-tüüpi mälu kohta saate saidilt www.SamsungDDR3.com.